文．洪寶山

SemiAnalysis指出輝達下一代GPU集群(如Kyber Ultra等)將單機架功率推升至600kW~660kW的驚人水平時，傳統的415V/480V三相交流電(AC)配電架構在銅材重量失控、機架空間被電源嚴重擠壓以及線路損耗的三重物理限制下，已難以為繼， 800VDC(高壓直流)配電成為AI資料中心升級的必然趨勢。

第一階段 HVDC電源側櫃

根據SemiAnalysis的規劃，這場變革在2026至2029年間將分為四個階段推進，對整體電力設備市場帶來以下顛覆性影響。

在過渡的第一階段(2026-2027年)，為了在既有交流環境下相容800VDC算力，市場需要引入「行級HVDC電源側櫃」(整合整流、BBU、超級電容)。SemiAnalysis預估，這種新型側櫃的單台平均售價(ASP)高達40-50萬美元，折合約50萬美元/MW，比傳統交流電源設備高出約十倍。

高達十倍ASP爆發

台達電的800V新一代備用電源＆機架式電容機櫃(Power Rack)直接穩坐核心位置，毫無疑問的第一首選，預計2026年下半年就開始出貨800VDC相關產品，搶到了第一階段高達十倍ASP爆發的側櫃紅利，2027年AI電源與配電系統的營收佔比有望挑戰新高。

光寶科在2026年的主力雖仍在400V系統配合CSP大量送樣量產，但公司已明確指出，其「800V DC兆瓦(MW)級電源機櫃」樣機已在全力測試中，預計在2026年底進入小量生產，2027年第一季開始大量出貨。

康舒與行競科技聯手發表的800V浸沒式高壓直流BBU系統(BBx800)，能提供高達1.2MW的峰值輸出(維持90秒)，直接對準第一階段「超級電容與BBU共同應對GPU瞬間跳變」的物理痛點，預計2026年下半年到2027年進入實質放量。

第二階段 機架級BBU與超級電容承接備電

隨著2027-2028年800VDC原生晶片系統開始大規模量產出貨，正式進入第二階段物理限制下的800VDC強制性需求。傳統的集中式低壓交流UPS在此階段開始加速退出核心迴路，完全改由機架級BBU與超級電容承接備電。

在40-50萬美元的側櫃中，BBU電池模組與相關的BMS(電池管理系統)佔了將近一半的成本。

高壓BBU規格升級 毛利率及獲利將享最高溢價

AES-KY作為台達電與美系一線CSP巨頭的共同開發夥伴，搭配800VDC架構的高壓BBU產品進度最領先，預計最快在2026年下半年到2027年初量產放量。在第一階段高壓BBU規格升級中，毛利率與獲利將享有最高溢價，BBU營收佔比在2026年將衝上75%~80%，是純度最高的800V高壓BBU龍頭。

順達已與台達電等電源廠合作開發400VDC、800VDC的高壓BBU，目前主力規格仍為5.5kW，並持續導入8kW、12kW高瓦數產品。公司表示，8kW、12kW BBU將自2026年起少量出貨，搭配800V HVDC架構的高壓產品預計自2027年起量產，有望完美對接高壓直流側櫃，公司預期2026年非IT(以BBU與儲能為主)營收佔比可望首度突破五成。

第三階段 純粹的電池機架取代電源側櫃

2028-2029年電氣架構整體重寫，800VDC的配電層級從機架「行級」徹底上移至設施的「灰色空間(Gray Space)」。原本昂貴的電源側櫃功成身退，被純粹的電池機架(Battery Rack)取代。

因為整流挪到了灰色空間，電池機架不再需要執行AC-DC轉換，僅保留直流分配單元、BBU貨架與超級電容。設備內容物成本也因此降至約20萬美元/MW。

第四階段引入SST 一步到位轉換成800V直流電

2029年及以後迎來電力架構的最終完美型態─引入固態變壓器(SST)。SST利用高壓碳化矽(SiC)功率半導體與高頻核心，直接將外部電網送來的「中壓交流電(MV AC)」一步到位轉換成機房需要的「800V直流電(DC)」。

SST以單一設備直接幹掉了傳統電力系統中「低壓變壓器」與「整流器」兩個繁瑣的轉換環節。理論上，這能將數據中心的系統整體電力效率從現行的82%大幅推升至87%以上，並為資料中心帶來高達40倍的重量縮減與14倍的空間體積縮減。

這四個階段的推演邏輯非常清晰，第一、二階段的2026-2027年，動到機櫃周邊，屬於白空間(White Space)的局部直流化，設備商(如台達電、AES-KY)先賺取高ASP的側櫃與高壓BBU紅利。

第三、四階段的2028-2029年及以後，動到整個基礎設施，屬於灰色空間(Gray Space)與電網端的全面直流、半導體化，此時，銅線圈與傳統矽鋼片的用量會被壓縮，取而代之的是由高壓SiC MOSFET矩陣構成的SST與工業級高壓直流(HVDC)大容量整流器。

2028年全力衝刺SST出貨

SST的本質是用半導體開關去消滅傳統銅線，一台2MW~5MW的SST需要成百上千顆1200V/3300V的高壓SiC MOSFET進行矩陣式串聯，對晶圓、磊晶與功率模組的消耗量是爆發性成長。

漢磊的8吋SiC產線在2026年迎來量產，到了2028-2029年，隨著英飛凌、安森美的高壓SiC MOSFET因SST與工業直流電網需求出現供不應求，漢磊作為全球少數純SiC代工廠，其高壓(1200V、1700V、3300V)功率平台的產能利用率與代工價格將迎來全面爆發，嘉晶則同步受惠高階高壓SiC磊晶片的爆量拉貨。

SST對MOSFET的要求不是單顆晶片，而是必須封裝成能承受超高電壓、超高信賴度的高壓功率模組。朋程具備台灣最頂尖的車規級、工業級高壓SiC模組封裝與測試能力。當台達電等台系系統廠在2028年全力衝刺SST出貨時，朋程將成為本土供應鏈中不可或缺的核心模組供應商。

資料中心配電全面半導體化 總用電密度暴增

當資料中心內部配電全面半導體化後，傳統重電廠商將面臨內部乾式變壓器被SST取代，但電網前端外部特高壓主變壓器需求暴增的雙重拉扯。SST再強，目前也無法直接承受台電或美國區域電網傳來的161kV/345kV這種特高壓交流電。

因此，電網端仍必須先透過華城、士電的大型特高壓電力變壓器將電壓降至中壓(15kV~35kV)，才能送進SST。只要800VDC架構讓AI資料中心的總用電密度暴增，電網前端變電所的擴建就繞不開華城與士電。